英诺赛科：创新驱动发展助力中国“芯”突破

在前不久举办的第三届“中国创翼”创业创新大赛广东赛区的比赛上，骆薇薇团队以“高性能8英寸硅基氮化镓外延、功率器件研发与产业化项目”获得主体赛创业组一等奖。

“我们建成了全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，并在非常短的时间内打破了国外知名半导体公司在氮化镓功率芯片设计和生产制造领域对中国市场、甚至全球市场的垄断。”英诺赛科（珠海）科技有限公司（以下简称“英诺赛科”）创始人骆薇薇说，氮化镓作为第三代半导体材料的代表，在新能源汽车、5G通讯、激光雷达等细分行业，有着广泛的应用。“8英寸硅基氮化镓功率芯片量产线”的通线投产，意味着制约我国第三代半导体产业的技术瓶颈得到了突破，势必在庞大的半导体上下游产业中实现对进口技术和产品的替代。

骆薇薇毕业于新西兰梅西大学，获得应用数学博士学位。毕业后，她在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两家以新材料为核心业务的高科技公司。2015年底，作为骆薇薇创办的第三家公司，英诺赛科选择在珠海国家高新区落户，这是一家典型的创新型高科技企业，目前公司有26项科技成果获得国际专利，并有其他40多项成果正在申请国际专利。

“难，真难，太难了。”谈起自己的创业之路，骆薇薇连用了三个“难”字。骆薇薇在国外工作生活了二十多年，此次下定决心回国创业，其难度可想而知。有人说回国创业是火坑，劝她不要往里跳。但骆薇薇并没有理会，即使她的整个团队里只有一名员工愿意追随她回国创业，即使研发费用依然迟迟没有着落，即使所有人都不看好她这次回国创业之旅，这些都无法动摇骆薇薇研发“中国芯”的决心。

谈到人社部门对于企业的帮扶和支持时，骆薇薇面露感激之色：“人社部门在企业招聘、人才政策、资金扶持等各个方面全力支持英诺赛科，同时也为我们选人、用人、留人、育人铺设了一条绿色服务通道，彻底扫除了我们的后顾之忧，让我们能够把更多的精力放在产品研发和生产上。”如今，经过三年的发展，英诺赛科在人社部门的支持下，已经成为汇聚中、美、德、韩四国精英人才，员工规模突破200人的世界顶尖氮化镓功率芯片生产商。英诺赛科作为中国“芯”动力，将以融汇全球智力资源，研发顶尖产品的态度，蓄势待发，正式进军国际市场。

创新是引领发展的第一动力，骆薇薇就是一个以创新为先，每天都在围绕创新做文章的人。之所以参加“中国创翼”，骆薇薇坦言是被大赛的口号所吸引的：“创新引领创业，创业带动就业。这话说得太对了，无创新不发展，无就业不兴旺。只有企业创新，才能发展经济，只有拉动就业，社会才能兴旺。创新，是英诺赛科的命脉，助力中国’芯’突破，就是我们奋斗的目标。”2018年6月，在江苏苏州市吴江区汾湖高新区，英诺赛科宣布其占地368亩、一期投资总额高达60亿元的英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目正式落户当地，生产基地建设也同期开工，预计于2019年底正式通线投产。一期项目建成后，预计8英寸功率与射频芯片的年产能将达到6.5万片，直接创造就业岗位2000余个。这无异又为“中国芯”注入了一针强“芯”剂！

在第三届“中国创翼”创业创新大赛的舞台上，涌现出很多像英诺赛科一样的创新性高科技企业，正是他们坚持创新的精神和蓬勃发展的势头，才为“中国智造”的快速发展提供源源不断的动力。

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