半导体制造是信息产业的基础，也是集成电路产业基金扶持的重要对象，在中国开始推出“中国制造2025”战略后半导体制造更是发展的重点。
中国需要摆脱对海外先进工艺的依赖
中国在2010年超过美国成为全球最大制造国后，高端制造业的发展就成为重点，这当中芯片产业又是重中之重。中国虽然贵为全球最大制造国，但是芯片这种高科技产品却严重依赖进口，中国进口的芯片占全球份额达到一半，进口额超过石油，因此中国希望发展自己的芯片产业以摆脱对进口芯片的依赖。
在中国的努力之下，目前崛起了展讯、华为海思等世界知名的芯片设计企业。据IC insights的数据2015年华为海思位居全球芯片设计企业第六，而展讯位居全球芯片设计企业前十，其他还有君正、瑞芯微等众多知名的芯片企业。
但是这些芯片设计企业在开发先进芯片的时候主要是依靠中国台湾的台积电等提供半导体制造先进工艺，这导致中国芯片设计企业屡屡受到限制。2014年华为海思与台积电合作推进16nmFinFET工艺，但是去年三季度台积电成功投产16nmFinFET工艺后却优先将先进工艺产能提供给苹果生产A9处理器，而华为海思的麒麟950却被延迟到11月才量产。
受此教训，华为海思今年选择了更稳妥的道路，当前已经量产的麒麟960采用台积电的16nmFinFET工艺，而其也在准备另一款芯片麒麟970将采用台积电即将投产的10nm工艺，以避免台积电到时候照顾其他芯片企业导致华为海思的高端芯片量产延迟。
华为海思也在与另一个半导体代工巨头三星半导体在商谈合作以确保自己获得先进工艺产能，三星半导体当前已经量产的14nmFinFET工艺与台积电的16nmFinFET相当,其也将在今年底投产10nm工艺。此外，华为海思已与中国最大的半导体制造企业中芯国际合作开发先进的半导体制造工艺，多条腿走路体现了华为高层的睿智当然也体现了中国芯片设计企业的无奈。
先进制造工艺取得突破意义
中国最大的半导体制造企业中芯国际发布的消息显示，这家企业的14nmFinFET工艺预计在2018年投产，比原计划的2020年提前了两年，量产时间与台积电在南京正在建设的半导体工厂于2018年投产16nmFinFET工艺的时间相近。
中芯国际当前最先进的工艺是28nmHKMG，相比起台积电年底量产的10nm工艺落后不少，到2018年中芯国际量产14nmFinFET的时候，台积电已投产7nm工艺，虽然依然落后但是这是一个长足的进步。
据IC insights的数据目前全球前五大半导体代工厂分别是台积电、格罗方德、联电、三星和中芯国际，格罗方德由于多种原因少有获得中国这个正处于高速增长势头的芯片市场，台积电和三星的半导体制造技术相当、联电和中芯国际的半导体制造工艺相当，这四家代工企业都将目标放在中国市场互相捉对厮杀。
联电本来预计这两年就要投产14nmFinFET工艺，并希望其在厦门的半导体代工厂能在今年底投产并引入28nm工艺，但是目前其14nmFinFET似乎进展不顺利，厦门半导体工厂的建设进展似乎也有所延缓，如果到2018年其没有量产10nm工艺导致厦门工厂不能引入14nmFinFET工艺的话那么联电希望借助厦门工厂的先进工艺与中芯国际竞争的愿望就会落空（台湾当局要求联电要在台湾量产的工艺比厦门工厂领先一代）。
台积电到2018年在南京工厂原计划引入16nmFinFET工艺，这与中芯国际的14nmFinFET工艺相当，台积电南京工厂要想赢得大陆客户的青睐要么是引入更先进的10nm工艺（这个可能性很大，因为台积电预计明年就将量产7nm工艺），要么坐视中芯国际凭借本地化优势取得比它更多的客户。
如果台积电南京工厂引入更先进的10nm工艺对于大陆芯片企业来说当然是利好消息，它们可以就近获得更先进的工艺产能，毕竟将芯片转入中国台湾流片耗费的资金和时间成本要远高于就近获得服务。
从中芯国际的先进工艺发展给联电、台积电带来的压力可以看出，中国要想拥有更先进的半导体制造技术首先需要自己发展先进的半导体制造工艺，否则它们只会基于经济利益考虑优先考虑苹果等规模更大的芯片设计企业，导致中国的芯片设计企业由于工艺落后而弱化竞争力，华为海思的遭遇就是前车之鉴。
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