台积电拟加大对美投资至400亿美元，兴建3nm制程工厂

北京时间12月8日下午消息（蒋均牧）台积电（TSMC）证实了媒体的报道，它将扩大在美国的芯片生产，宣布计划将总投资提高到400亿美元，并兴建使用3nm先进制程的第二座工厂。

到2026年二期工程投产时，这家合同芯片制造商的计划产能将从每年24万片晶圆提高到60万片。两座工厂将创造4500个工作岗位，几乎是最初计划的三倍。

台积电斥资120亿美元建设的在美第一座工厂将采用其N4工艺生产芯片，并计划于2024年投产。该公司原计划使用其N5工艺制造5nm芯片。

随着贸易紧张局势加剧以及疫情限制导致的供应链中断，台积电的美国客户正推动在本地采购更多零部件，以减少对从中国进口的依赖。

在标志着首批芯片设备到来的活动中，台积电董事长刘德音（Mark Liu）表示，其目标是提供美国最环保的芯片制造设施，生产美国最先进的半导体工艺技术。

台积电透露了现场工业水回收厂的计划，这将使其能够实现近乎零的液体排放。

美国总统乔·拜登（Joe Biden）、苹果公司首席执行官蒂姆·库克（Tim Cook）、AMD董事长兼首席执行官苏姿丰（Lisa Su）和英伟达总裁兼首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）出席了仪式。

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