10月15日消息（南山）据台湾媒体报道，台积电总裁魏哲家昨日对外强调，公司将在今年内试产3nm制程，使用FinFET架构。预计到明年下半年，正式量产3nm。
这回击了之前有媒体认为台积电3nm明年落空的报道。
魏哲家说，台积电3nm制程获得了众多客户参与，相较于5nm，预期首年会有更多新产品设计定案。
此外，台积电将推出3nm的延伸制程N3E，将在3nm量产一年后进入到生产阶段。魏哲家强调，有信心3nm成为台积电大规模且长期需求的制程技术。
据透露，台积电2nm可能采用GAA（环绕式闸极电晶体）架构，预期在2025年推出。
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