三星在最近的IEEE国际固态电路会议上，分享了自家在3nm GAE MBCEFET芯片制造方面的一些细节。
根据DigiTimes发布的最新把报告，台积电的3nm工艺将在今年下半年开始试产。近年来，三星和台积电在先进工艺制程方面的竞争愈发激烈。虽然三星一直处于落后于台积电的位置，但也在不停追赶。
据悉，在3nm工艺方面，台积电仍是坚持使用FinFET技术，但三星却选择了向纳米片晶体管过渡。
根据三星电子副总裁Taejoong Song在会上的说法，纳米片结构的晶体管将是一个成功的设计，因为这一技术可以提供“高速度、低功耗和小面积”。
其实，早在2019年，三星就抢先公布了3nm工艺，并明确表示放弃FinFET。三星将旗下的3nm工艺分为3GAE和3GAP，在会上三星表示，3GAE工艺节点将会实现高达30%的性能提升，同时功耗可以降低50%，晶体管密度也可以提高80%。
由于在7nm、5nm工艺节点上都落后于台积电，所以三星对于3nm工艺寄予厚望，希望借纳米片晶体管实现对台积电的超车。
据悉，三星的3GAE工艺预计将在2022年正式推出，而此次在会上展示的诸多细节也表明，三星在3nm工艺方面又往前迈了一步。
从三星3GAE工艺推出的时间节点来看，三星和台积电无疑将在2022年，针对3nm先进工艺，展开更为激烈的比拼。
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