据Digitimes报道,业内人士透露,台积电 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技术的开发过程中都遇到了不同但关键的瓶颈。报道称,台积电和三星因此将不得不推迟 3nm 制程工艺的开发进度。
按台积电计划,3nm 将于今年完成认证与试产,2022 年投入大规模量产,甚至业界曾表示苹果已率先包下台积电 3 纳米初期产能,成为台积电 3 纳米第一批客户。
3nm 工艺推进延期意味着这两家半导体的 5nm 工艺寿命延长,但目前第一代 5nm 工艺似乎均出现了不同程度的不良现象,这将给两家厂商 5nm 优化留出足够时间。
同时,考虑到英特尔先进制程目前最先进工艺是 10nm,这也给英特尔工艺追赶提供了机会。不过距离 2022 年投产还有充足时间,具体情况仍需观察。
IT之家了解到,此前业界预计台积电和三星的 3nm 工艺都会在 2022 年实现量产,但台积电有望领先三星至少半年。
此前台积电曾宣称,其 3 纳米工艺会比最近的 5 纳米工艺性能提升 10% 至 15%,3nm 芯片将提供 20% 至 25% 的节能提升。
此外,台积电董事长刘德音此前表示,台积电今年营收持续创新高,在 3nm 领先布局,于南科的累计投资将超过 2 万亿元新台币,目标是 3nm 量产时,12 英寸晶圆月产能超过 60 万片。相对的,三星晶圆代工业务准备投入 1160 亿美元,以实现在 3nm 工艺上赶超台积电。
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