据台媒《工商时报》报道,晶圆代工龙头台积电在上周的法说会上透露了其3nm制程的更多细节。
据悉,3nm采用FinFET架构及EUV技术,3nm相对5nm逻辑密度将大幅增加70%,性能提升10-15%,功耗在同样性能下将降低25-30%,面积为原来的1/1.7,且EUV光罩层数将倍增。
此前ASML CEO Peter Wennink在财报会上指出,5nm制程采用的EUV光罩层数将超过10层,3nm制程采用的EUV光罩层数会超过20层,随着制程微缩EUV光罩层数会明显增加,并取代深紫外光(DUV)多重曝光制程。
另外,该报道称台积电将会积极采购EUV光刻机设备,未来3~5年仍将是拥有全球最大EUV产能的半导体厂。
在先进工艺上,台积电一直走在业界前列。该公司EUV技术已进入量产且制程涵盖7+nm、6nm、5nm。
据设备厂商消息,台积电7+nm采用EUV光罩层最多达四层,AMD新一代Zen 3架构处理器预期是采用该制程量产。6nm已在第四季进入量产,EUV光罩层数较7+nm增加一层,包括联发科、英伟达、英特尔等大厂都将采用6nm生产新一代产品。
今年下半年开始量产5nm制程,主要为苹果量产A14及A14X处理器,包括AMD、高通、英伟达、英特尔、博通等都会在明年之后导入5nm制程量产新一代产品。
此外,3nm产品将会在2021年出现在市场上,2022年开始大批量生产。
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