三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解

据韩媒TheElec报道，三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解。

图源：TheElec

据悉，涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率，最初由KAIST和首尔国立大学教授Lee Jong-ho合作开发，并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。

KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三星、高通和Global Founderies提起诉讼，指控他们在未经许可的情况下使用了其FinFET专利。2018年6月，陪审团裁定三星的侵权金额达4亿美元。

此外，KAIST于2019年2月再次起诉三星，声称尽管有之前的判决，三星仍在继续侵犯专利。并指出三星在其应用处理器中使用的14、11、10、8和7nm FinFET技术侵犯了其专利，将三星自2016年起推出的智能手机列为侵权产品。

今年2月，法院裁决三星赔偿2亿美元。不过现在三星和KAIST已达成和解，交易的详细条款还尚未得知。

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