三星宣布2025年量产2nm芯片，继续推动半导体工艺创新

6月13日消息，近日，在加利福尼亚州圣何塞举办的2024年三星晶圆代工论坛年度博览会上，三星公布了其最新的半导体芯片工艺路线图，宣布了其在未来几年的重大技术进步计划。

根据三星的公布，该公司计划在2025年实现2nm芯片的量产，并在2027年进一步将工艺推进至1.4nm。这一雄心勃勃的计划彰显了三星在半导体工艺领域的持续创新和领先地位。

值得注意的是，三星的2nm工艺布局了多个节点，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等。其中，第一代2nm工艺SF2预计将在明年准备就绪，而最先进的SF2Z节点则计划于2027年实现量产商用。SF2Z采用了先进的后端供电网络（BSPDN）技术，旨在提高电源效率，为用户提供更加高效和稳定的芯片产品。

三星的2nm工艺在技术上进行了多项创新。该工艺进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，并采用了独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比，MBCFET架构的晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低了26%，同时漏电降低了约50%。这些技术上的改进将极大地提升三星芯片的性能和效率。

此外，三星在今年2月宣布与Arm展开合作，共同优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核。这一合作将基于三星的GAA晶体管技术，旨在进一步提高芯片的性能和效率。通过与Arm的合作，三星将能够为客户提供更加出色的处理器产品，满足各种应用场景的需求。

总的来说，三星的2nm工艺计划展示了其在半导体工艺领域的持续创新和领先地位。通过不断的技术进步和合作创新，三星将继续推动半导体产业的发展，为用户提供更加出色的芯片产品。

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