南亚科与铠侠合作开发垂直通道晶体管DRAM技术

23日讯,南亚科与铠侠将将联合推出使用氧化物半导体的垂直晶体管DRAM技术,专注于降低功耗并实现极低的漏电流。该技术通过改进制造工艺来增强电路集成度,以满足高密度应用对能效和性能日益增长的需求,包括人工智能驱动的设备、后5G通信和物联网,为内存小型化和省电提供显著优势。

企业会员

免责声明:本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿,凡在本网站出现的信息,均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明,并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后,将会依法尽快联系相关文章源头核实,沟通删除相关内容或断开相关链接。

Baidu
map