消息称三星电子HBM3E商业化迟缓或与DRAM制程有关 考虑重新设计1a DRAM电路

16日讯,据业界消息,三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关,1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。据知情人士透露,三星正在内部讨论重新设计部分1a DRAM电路的计划,但尚未做出最终决定,因为这一决定需要承受各种风险,如果重新设计,预计至少需要六个月才能完成产品,直到明年第二季度才能实现量产。 (ZDNET Korea)

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