国产光刻机取得重大进展 氟化氩光刻机套刻≤8nm

9月15日消息,从工业和信息化部在官网公布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》来看,国产光刻机已取得重大突破,氟化氩光刻机套刻≤8nm。

在《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中,也公布了氟化氩光刻机其他的核心技术指标,晶圆直径300mm,照明波长193nm,分辨率≤65nm。

此外,《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中还有氟化氪光刻机,晶圆直径300mm,照明波长248nm,分辨率≤110nm,套刻≤25nm。

除了光刻机,工信部在印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中,还有多类集成电路生产装备,包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特种金属膜层刻蚀机、化学气相沉积装备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备。

光刻机、刻蚀机等芯片生产关键设备取得突破,也就意味着我国芯片制造商在关键设备上有了更先进的国产设备可用,有利于芯片产业链的国产化,也将提升国产芯片的水平,保障供应。

工信部在官网公布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》,包括15大类重大技术装备,除了长期困扰我国芯片产业的光刻机,还有高端工业母机、高端医疗装备、精密仪器仪表等。(海蓝)


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2024-09-15
国产光刻机取得重大进展 氟化氩光刻机套刻≤8nm
从工业和信息化部在官网公布的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》来看,国产光刻机已取得重大突破,氟化氩光刻机套刻≤8nm,晶圆直径300mm,照明波长193nm,分辨率≤65nm。 工信部在印发的《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》中,还有多类集成电路生产装备,包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特种金属膜层刻蚀机、化学气相沉积装备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备。

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