美光量产HBM3E高带宽内存 用于英伟达H200二季度出货

3月4日消息，美光近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。

美光 HBM3E 引脚速率超过 9.2Gb/s，提供超过1.2TB/s的内存带宽，美光 HBM3E 功耗比竞品低约 30%，美光 HBM3E 目前提供 24 GB 容量，使数据中心能够无缝扩展其人工智能应用。

此外，美光将于 2024 年3月出样12层堆叠的 36GB 容量 HBM3E，提供超过 1.2TB/s 的性能。同时，美光将赞助 3 月 18 日开幕的英伟达 GTC 全球人工智能大会，届时将分享更多前沿 AI 内存产品系列和路线图。

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