东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET

5月18日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。

锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量,以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性,同时要求MOSFET小巧纤薄,且具有更低的导通电阻。

SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺,已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先的低导通电阻特性实现了低功耗,而业界领先的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外,新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。



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2023-05-18
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET
5月18日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件可用于移动设备锂离子(Li-ion)电池组中的电池保护电路。该产品于今

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