东芝推出新款150V N沟道功率MOSFET——TPH9R00CQ5

3月31日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代U-MOX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。

TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1”相比降低了约42%。与此同时,与东芝现有产品“TPH9R00CQH4”相比,反向恢复电荷减少约74%,反向恢复时间缩短约44%,上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用,降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电源的EMI。

该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance(N)封装。

此外,东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外,现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

应用 :

工业设备电源,如用于数据中心和通信基站的电源。

开关电源(高效率DC-DC转换器等)。



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2023-03-31
东芝推出新款150V N沟道功率MOSFET——TPH9R00CQ5
3月31日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代U-MOX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。

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