惠普与SanDisk将合作推新型存储芯片 比现有闪存快1000倍

惠普和闪迪打算用这种最新的存储技术颠覆这一市场，这似乎是对Intel和美光（Micron）今年7月份发布的一种3D Xpoint技术的回应。

众所周知，计算设备采用DRAM和SRAM作为易失性存储器，它们的特点是成本相对更高，但数据传输速度更快，在断电的时候数据就会丢失。而对于长期存储，机械硬盘和闪存芯片是常规手段，在速度上更慢，但成本相对更低。

很多人都在梦想一种新的存储技术的出现，就是结合长期和短时存储这两者的优势，这样计算设备的使用体验就能更上一层楼。惠普首席技术官兼副总裁Martin Fink表示：“我们就是要让过去的技术崩溃，让这个世界变得更简单。”

这种被称为通用存储的技术应该算是目前惠普研究的一个重要方向，未来是有机会颠覆过去60年来形成的计算机领域的存储标准的。存储市场当前的主流发展趋势是闪存和DRAM通过缩减晶体管尺寸达成性能提升，这一模式达成的影响正在变小。

惠普与闪迪表示，他们的这次合作会用到两家企业单独研究的两种技术，惠普的的忆阻器和闪迪的RRAM,这两种技术都是利用改变电阻的材料。实际上惠普和闪迪并不是唯一两家在这么做的企业，初创企业Crossbar也在开发RRAM,还有Intel和美光目前公布的技术细节听起来跟其他企业所说的也比较类似。

Moor Insights & Strategy分析师Patrick Moorhead表示，这次的合作实际上“和美光与Intel所说的是同一个阵营”.惠普工程师将会帮助开发这项进技术，闪迪则会进行这种联合设计芯片的生产。除了存储芯片之外，这两家企业还计划在利用这种技术的系统上进行合作。闪迪执行副总裁Siva Sivaram表示：“这是一次长期合作。”

惠普和闪迪表示，他们不会将技术授权给其他企业，先前Intel和美光也表达了相同的战略，这跟传统的模式还是有很大差异的。Fink表示，这种芯片并非价格驱动的商品，“我们正转向基于价值的世界。”这项技术预计会在2018-2020年抵达市场，但并没有非常明确的时间表。

生成海报

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。