台湾第二大半导体代工厂联电决议将出资超过6000万美元收购和舰科技剩余的8.92％股权，获得这个半导体制造厂的100%股权，从2001年建厂至今足足花了15年时间，不过这也体现了它推进自己的战略太慢了，无法快速应对市场竞争。
联电成立时间比全球第一大半导体代工厂台积电还早了七年时间，不过进入1990年代后其却逐渐被台积电赶超，进入2000年后台积电更步步领先联电，如今台积电占有半导体代工市场份额达到54%，而联电的市场份额则只有9.3%。
为了扭转自己的不利地位，联电将希望放在全球最大的市场--中国大陆市场，早早就借道在大陆组建和舰科技希望以此获得中国大陆市场，不过随后的诸多波折却让联电费了很长时间才实现对和舰科技的控股，更花了超过15年时间才获得和舰科技的全数股权。
2014年底联电再次进军大陆，宣布在厦门建设更先进的12寸半导体工厂（和舰科技是8寸半导体工厂），经过两年时间的紧急建设到今年11月实现量产，不过并没能如其预期的投产28nm工艺而是40nm工艺。
这再一次的体现了联电的“慢”，由于中国台湾当局的要求，台湾的台积电和联电两大半导体制造企业在台湾投产的工艺要比它们在中国大陆投产的工艺领先一代，联电本希望今年实行18nm甚至14nm工艺的量产，而将它的28nmHKMG工艺引入厦门工厂，以与中国大陆最先进的半导体制造厂中芯国际竞争，中芯国际今年9月量产28nmHKMG工艺，但是从联电厦门工厂量产的仅是40nm工艺来看其18nm和14nm工艺进展显然不理想。
在联电进入大陆市场建设和舰科技后，其欲挑战的台积电也紧急在2003年进入大陆建设上海松江8寸半导体工厂，并随后连续扩大该工厂的规模；在联电建设厦门工厂后，台积电又在今年与中国大陆达成合作建设南京12寸半导体工厂，并且计划在2018年投产16nm工艺，再次实现对联电的领先。
中国大陆最大的半导体制造厂中芯国际也在加速自己的工艺研发进度，其14nmFinFET工艺本来预计在2020年达产，但是在大举投资和高通、华为海思等的帮助下将该计划提前到2018年，这即是说即使联电明年成功在台湾量产18nm和14nmFinFET工艺而将28nmHKMG引入厦门工厂，也已落后于台积电和中芯国际。
在这样的情况下，联电正处于一步落后步步落后的困况中，也正由于这样在先前击败格罗方德夺回全球第二大半导体代工厂的位置后，2015年又一次被格罗方德通过购买三星的14nmFinFET工艺再次反超联电赢回第二大代工厂的位置。
中国大陆的中芯国际，在经过前几年的调整后，近两年也开始逐渐走上正轨，营收、净利润稳步增长，在工艺研发方面稳步推进，28nm工艺进展良好，今年将资本支出增加至25亿美元，这是它首次在该项支出方面超过联电，并且它喊出了要抢占全球第二大半导体代工厂位置的目标。
2015年前五大半导体代工厂中，中芯国际的营收以13.1%的增速位居第一，而联电的营收则同比下滑1.3%是前五大中唯一出现下滑的。IC insights预计中芯国际今年的营收可以达到28.5亿美元同比增长高达27%，继续在前五大半导体代工厂中位居增速第一，只要保持20%的增速到2020年将达到60亿美元，而联电去年的营收为45.6亿美元，假如这几年中芯国际继续保持高速增长而联电只有微幅增长的话那么最快2020年中芯国际将超越联电。
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