10月11日消息，据报道，俄罗斯圣彼得堡理工大学的研究人员开发出了一种“国产光刻复合体”，可用于蚀刻生产无掩模芯片，这将使“解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题”成为可能。
据俄新社报道，圣彼得堡理工大学代表透露，该设备综合体包括用于无掩模纳米光刻和等离子体化学蚀刻的设备。据介绍，其中一种工具的成本为 500 万卢布（当前约 36.3 万元人民币），另一种工具的成本未知。
第一种设备可用于在基底上获得图像，而无需特殊掩模。据开发人员称，与传统光刻技术相比，无论是在成本还是时间方面，这项技术都划算得多，因为传统光刻技术需要使用专门的掩膜板来获取图像。该装置由专业软件控制，可实现完全自动化。
这位代表称，该综合体由圣彼得堡理工大学开发，旨在创建“各种微电子设备运行”所需的“纳米结构”。该工艺的第一阶段需要使用基础掩模光刻机，第二阶段则需要用到硅等离子化学蚀刻机。
据悉，第二种装置需要用到第一阶段在基底上创建的图像。俄新社写道，该设备可直接用于形成纳米结构，但也可以制作硅膜，例如用于舰载超压传感器。
该项目的作者向俄新社保证，在这种机器上制作的硅膜“在可靠性和灵敏度方面超过了用液体或激光蚀刻方法制作的硅膜”。他们还强调，这是完全的（俄罗斯）国产产品。
实际上，圣彼得堡理工大学并不是唯一一所致力于研究先进的国产光刻解决方案的机构。早在 2022 年 10 月，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所就宣布开始朝这个方向展开工作，但其目标略有不同。
公开资料显示，截至 2023 年 10 月，俄罗斯最多可以使用 65nm 的拓扑结构，而该技术在近 20 年前就已经几乎被淘汰了，不过俄罗斯现在正在建设 28nm 芯片工厂。
据称，诺夫哥罗德应用物理研究所正在努力缩小俄罗斯与世界其他国家之间的巨大差距，而他们的专家正在开发第一款国产光刻机，能够生产 7nm 拓扑芯片。然而，这仍需要数年时间，至少要到 2028 年才能开始全面运行。
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