日本将斥资3500亿日元开展下一代半导体开发研究合作

11月6日消息（邵忱）日本计划预算 3500 亿日元与美国开展下一代半导体开发研究合作。

最新法案还包括 1 万亿日元的预算，将用于电池、永磁体和稀土供应链的多元化。日本首相岸田文雄宣布将在包括半导体在内的下一代领域投资 3 万亿日元，预计在电池和机器人方面的投资将略低于 1 万亿日元。

据悉，该联合研究中心将于今年年底成立，目标是在 20 年代后半期开发并具备大规模生产 2 纳米芯片先进半导体的能力。

参与的日本公司的名称和其它细节将于本月公布。东京大学、国立先进工业科学技术研究所和理研研究所以及美国和欧洲的公司和研究机构将参加。

据介绍，这笔支出包含在本财年的二次补充预算法案中，其中还将包括 4500 亿日元用于日本先进半导体生产中心，以及 3700 亿日元用于确保造芯片必不可少的材料。

目前日本政府已经批准了对台积电、铠侠和美国美光科技的补贴，以在日本建立工厂，生产数据中心、人工智能和其它尖端技术所需的半导体。

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