三星已开始使用极紫外光刻技术量产14纳米DRAM芯片

10月12日消息,据国外媒体报道,今日,存储芯片制造商三星电子宣布,它已开始使用极紫外光刻(EUV)技术量产业界最小的14纳米DRAM芯片。

三星电子表示,EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤,提高了图案绘制的准确性,从而提高了性能和产量,缩短了开发时间。

利用最新的DDR5标准,三星14纳米DRAM将帮助解锁前所未有的高达7.2Gbps的速度,这是DDR4速度(3.2Gbps)的2倍多。

该公司表示,即将开始量产DDR5,并预计最新工艺将使生产率提高20%,功耗降低近20%。

据悉,三星是全球最大的存储芯片和智能手机制造商之一。在近日举办的晶圆代工论坛上,该公司宣布,将从2025年开始量产2nm芯片,并计划从2022年上半年开始生产客户设计的3nm芯片,第二代3nm芯片预计将在2023年生产。


企业会员

免责声明:本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿,凡在本网站出现的信息,均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明,并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后,将会依法尽快联系相关文章源头核实,沟通删除相关内容或断开相关链接。

2021-10-12
三星已开始使用极紫外光刻技术量产14纳米DRAM芯片
今日,存储芯片制造商三星电子宣布,它已开始使用极紫外光刻(EUV)技术量产业界最小的14纳米DRAM芯片。

长按扫码 阅读全文

Baidu
map