三星已确保3nm工艺良品率稳定 计划明年6月量产

10月9日消息，据国外媒体报道，5nm芯片制程工艺已顺利量产的台积电和三星电子，都在全力推进3nm工艺的量产事宜，以便占得先机，进而获得更多的代工订单。

而韩国媒体最新的报道显示，三星电子已确保3nm制程工艺有稳定的良品率，他们计划在明年6月份开始量产，代工相关的芯片。

从韩国媒体的报道来看，三星电子3nm制程工艺计划在明年6月份开始量产，是三星电子方面的一名高管，当地时间周三在以在线方式举行的三星代工论坛上透露的。

三星电子的3nm工艺，并未继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，而是采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术。三星方面表示，采用这一工艺代工的芯片，性能较5nm将提升50%，能耗降低50%。

三星电子方面对3nm工艺寄予厚望，多年前就已开始研发事宜。在今年6月底，有外媒在报道中表示，三星电子的3nm工艺已成功流片，距离量产又更近了一步。

目前在推进3nm工艺的另一家，是当前全球最大的芯片代工商台积电，在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家均透露他们的这一工艺在按计划推进，计划今年下半年风险试产，明年大规模量产。

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