盛美步入边缘刻蚀领域，新产品支持3D NAND、DRAM和先进逻辑制造工艺

8月19日消息，盛美半导体设备近日公布的边缘湿法刻蚀设备，进一步拓宽了盛美湿法设备的覆盖面。该新设备使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。

盛美半导体设备董事长王晖表示：“在IC制造工艺里，特别是在3D NAND、DRAM和先进逻辑器件工艺中，晶圆边缘剥离、杂质颗粒和残留物会导致晶圆边缘良率降低，现在这个问题的解决对于优化整体工艺良率变得越来越重要。我们开发的边缘湿法刻蚀清洗设备可有效解决这种边缘良率降低的问题，这款新产品也把盛美在湿法工艺的专业技术拓展到边缘刻蚀应用领域。与干法相比，该产品不仅具备明显的性能优势，而且可以显著减少化学品的用量。更值得一提的是，盛美独创的专利技术可做到更精准高效的晶圆对准，以实现精准边缘刻蚀，从而提高良率及产能。”

盛美的边缘刻蚀产品支持多种器件和工艺，包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺。

一直以来，制造商都是使用干法刻蚀工艺来解决边缘薄膜和污染物去除的问题。湿法刻蚀区别于干法工艺，它避免了产生电弧和硅损伤的风险，同时还能通过 1-7 毫米可变的晶圆边缘薄膜刻蚀/切割精度、良好的均匀性、可控的刻蚀选择性和较低的化学品消耗量，来降低总体拥有成本。

盛美首台用于量产的边缘刻蚀产品将于2021年第三季度交付给一家中国的逻辑器件制造商。

生成海报

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。