从全球范围看，先进半导体作为信息技术产业的基石，供需矛盾突出。而我国在当前严峻的国际环境下，半导体产业更面临着严峻的挑战。为了应对这一挑战，我国自“十三五”时期开始，明确将半导体领域的发展作为国家战略，并在“十四五”时期发布了一系列围绕第三代半导体的扶持政策，为解决“卡脖子”问题打下根基。
第三代半导体以碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌(ZnO)等具有宽禁带(Eg>2.3eV)特点的材料为主，具备耐高压、耐高温、低损耗等特性，符合当前功率半导体器件的应用需求，正在逐步成为市场聚焦的新赛道。
其中，碳化硅(SiC)的材料特性可使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于第一代硅器件，可显著降低开关损耗。目前主要应用于白色家电、电动汽车及工业应用领域。而氮化镓(GaN)的特性，使其成为超高频器件的极佳选择，主要用于光电子、射频电子及电子电力领域。
机构人士认为，当前能源技术革命已经从电力高端装备的发展逐步向由材料革命的发展来带动和引领，第三代半导体有望掀起绿色经济革命，助力以汽车电子、光储、风电为代表的新能源产业和消费电源等领域高效电能转换。前瞻产业院预计，到2025年我国第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。
不过，第三代半导体的制备技术非常复杂，需要克服许多技术难点。
对此，围绕第三代半导体技术发展方向、更高效电能方案、更可靠安全技术等话题，2023CESIS分论坛——第三代半导体技术研讨会将于3月24日下午深圳登喜路国际大酒店二楼C厅展开。届时将有六位产学研的专家、学者带来重磅行业分享。
以下为演讲嘉宾基本信息↓↓↓
嘉宾阵容
余训斐
深圳爱仕特科技有限公司应用开发总监曾主导开发爱仕特SiC电控及电源项目，产品的效率、功率密度等参数领先行业水平 曾任比亚迪汽车弗迪动力研发经理，高级电控工程师 从事电控及电源系统开发超过十年，对SiC器件应用有着深刻的见解和丰富的经验
演讲主题：《SiC MOS功率器件及应用》
关于深圳爱仕特科技有限公司
以第三代半导体碳化硅材料为核心，研制大功率电力电子功率器件设计与产品多样应用，拥有完整的产品技术授权与品牌独立运营管理，是从事SiC MOS芯片设计、模块生产、系统开发的的国家高新技术企业，先后获得武岳峰资本、中芯聚源、深创投及国内多家知名投资机构的数亿元投资。
公司建立车规级SiC MOS模块工厂，实现全SiC MOS功率模块的批量生产，并通过IATF 16949汽车行业质量体系及ISO 9001质量管理体系认证。研发产品覆盖产业链各环节，可应用于新能源发电、新能源汽车、轨道交通、智能电网、手机快充等领域。
郭清
浙江大学副教授
浙江大学电气工程学院副教授、电气工程学院应用电子学系副主任，浙江大学绍兴研究院电气分中心副主任，曾任香港科技大学博士后。长期从事功率半导体芯片的教学和科研工作，作为研发骨干参与国家科技部863项目4项、国家科技重大专项(02专项)1项，作为负责人承担科技部国家重点研发课题1项、国家自然科学基金项目2项，浙江省重点科技创新团队课题1项。曾获评获浙江大学求是青年学者、第三届CASA第三代半导体卓越创新青年。
演讲主题：《碳化硅功率半导体器件技术进展》
演讲内容概述
碳化硅功率半导体器件是目前发展最成熟的第三代功率半导体器件，在新能源汽车、光伏、电源等领域实现了规模应用。报告将介绍近年来碳化硅器件发展的若干重要发展方向，重点介绍平面栅和沟槽栅碳化硅MOSFET产品中不断涌现的新结构、新方法，并结合电动汽车充电桩等重要应用，对其应用前景进行分析。
胡晓东
北京大学教授
北京大学物理系本科毕业，获学士学位，以及清华大学硕士学位，电子科技大学物理学与光电子学博士学位。曾在清华大学博士后流动站工作，在美国德克萨斯大学奥斯丁分校，美国堪萨斯州立大学做访问学者。北京大学物理学院教授、博士生导师。
主要从事光电子物理和器件的研究。工作重点是GaN基材料、器件和相关物理的研究。承担多项国家重点研发、科学挑战、国家自然基金、国防科技创新特区及北京市科技项目等课题。目前致力于GaN基光电子器件的产业化。
演讲主题：《GaN基激光器及应用》
演讲内容概述
GaN基激光器的研究和产业发展回顾;GaN基激光器面临的主要关键科学技术难题;我们课题组的近期工作;GaN基激光器的应用领域、市场前景。
陈为
福州大学磁技术专委会主任委员/教授
福州大学功率变换电磁技术研究中心主任。兼任中国电源学会常务理事，IEC第51技术委员会(TC 51)专家，IEC/TC 51 WG9中国专家组组长。曾在美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心(CPES)做访问学者，曾兼任台达电子上海电力电子研发中心高级研发经理。主持5项国家级科研项目、1项IEC国际标准和和1项国家标准，发表论文80多篇，申请国内外专利30多项。
研究领域包括电力电子高频磁技术、功率变换器电磁兼容、无线电能传输、电磁检测以及工程电磁场分析与应用。
演讲主题：《第三代半导体应用对磁元件技术高频化的挑战》
演讲内容概述
磁性元件是电力电子功率变换器的关键器件之一，对损耗、体积、重量、电磁兼容、功率密度以及成本都有重要的影响。随着宽禁带半导体器件的应用，功率变换器的高频化成为必然趋势，这对磁性元件提出了更高的要求，本讲座将分析磁元件高频化下所面临的挑战及其关键技术点，给听众提供解决问题的思路与对策。
刘扬
中山大学教授，博导
中山大学电力电子及控制技术研究所所长、广东省第三代半导体GaN材料与器件工程技术研究中心主任。长期从事宽禁带III族氮化物功率半导体材料与器件研究及产业化推广工作，2017年入选国际权威功率电子器件会议ISPSD学术委员会，成为GaN领域进入该学术组织的首位中国大陆学者。主持国家重点研发计划课题项目、国家自然科学基金重点项目、广东省重大科技专项等多项项目。
演讲主题：《三族氮化物功率半导体技术》
演讲内容概述
报告介绍以GaN为代表的三族氮化物功率半导体材料与器件的技术发展历程、最新进展、及发展趋势，以期为行业从业人员提供宏观指引、促进产业链条的协同创新及该技术的行业发展。
杨文
华南理工大学副教授，博导
2021年于美国中佛罗里达大学电子工程专业获得哲学博士学位，随后加入美国Analog Devices, Inc.(ADI)担任研究员。主要研究方向为宽禁带功率半导体器件可靠性及失效分析、宽禁带功率半导体器件集成技术等。曾担任IEEE EDS Orlando Section主席，在微电子器件可靠性领域著名期刊IEEE TED, APL和国际会议IEEE IRPS上发表论文近20篇。
演讲主题：《氮化镓功率半导体器件可靠性问题研究》
演讲内容概述
GaN功率半导体器件可靠性是阻碍GaN大面积商用的主要原因。本报告针对GaN栅极可靠性问题，提出基于衬底偏置的新型测试方法，探究氮化镓功率器件柵氧经时击穿(TDDB)机理，建立退化寿命模型;针对GaN的第三象限应用，探究GaN负温度偏置效应(NBTI)下的非线性退化模型;最后简略介绍针对单片集成GaN芯片的静电保护研究进展，讨论不同静电放电模型下的GaN器件退化机理。
2023CESIS分论坛——第三代半导体技术，与您不见不散!
（免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。
任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。 ）
